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金屬膜電容如何實(shí)現(xiàn)自愈

文章出處:深圳佳明新電子有限公司 www.greymarvel.com網(wǎng)責(zé)任編輯:秦菊作者:朱三琦人氣:-發(fā)表時間:2015-06-12 09:00:00【

  金屬膜電容因?yàn)橛凶杂芰Γ赃@類電容器是當(dāng)前用途最廣泛也最具有未來市場的電容器。

  金屬膜電容的自愈有兩種不同的機(jī)理:一種是放電自愈;另一種是電化學(xué)自愈。前者發(fā)生在電壓較高下,所以也簡稱為高壓自愈;因?yàn)楹笳咴陔妷汉艿偷那闆r下也出現(xiàn),所以常簡稱為低壓自愈。
放電自愈
  為了說明放電自愈的機(jī)理,假設(shè)在兩個金屬化電極間的有機(jī)薄膜中某處有一疵點(diǎn),其電阻為R。按疵點(diǎn)的性質(zhì),它可能是金屬性疵點(diǎn),也可能是半導(dǎo)體或劣質(zhì)絕緣性疵點(diǎn)。顯然,當(dāng)疵點(diǎn)是前一種時,在低電壓下,電容器就已經(jīng)發(fā)生放電自愈。而只有在后一種疵點(diǎn)情況下,才出現(xiàn)所謂高壓放電自愈。
放電自愈的過程是,在金屬膜電容上施加電壓V后,立刻有歐姆電流I=V/R通過疵點(diǎn)。因此流經(jīng)金屬化電極的電流密度J=V/Rπr2,即是在金屬化電極內(nèi),離疵點(diǎn)越近的區(qū)域(即r越?。潆娏髅芏仍酱?。由于疵點(diǎn)功耗W=(V2/R)r引起的焦?fàn)枱?,是半?dǎo)體性或絕緣性疵點(diǎn)的電阻R成指數(shù)性下降。因此電流I和功耗W又迅速增大,結(jié)果在金屬化電極離疵點(diǎn)很近的區(qū)域中,電流密度J1= J=V/πr12急劇上升到其焦?fàn)枱崮軐⒃搮^(qū)金屬化層的熔化,引起電極間在此處飛弧,電弧很快蒸發(fā)和拋散掉該處熔融金屬,形成無金屬層的絕緣隔離區(qū),電弧熄滅,實(shí)現(xiàn)自愈。

 

電化學(xué)自愈
  金屬膜電容在低壓下,常出現(xiàn)這種自愈。這種自愈的機(jī)理如下:若在金屬膜電容的介質(zhì)薄膜中有一疵點(diǎn),在電容器上加上電壓以后(即使電壓很低),通過疵點(diǎn)將有較大的漏電流,表現(xiàn)為電容器的絕緣電阻遠(yuǎn)低于技術(shù)條件中的規(guī)定值。顯然,在漏電流中含有離子電流,也可能含有電子電流。因?yàn)楦鞣N有機(jī)薄膜都有一定的吸水率(0.01%~0.4%),且在電容器制造、儲存和使用過程中,電容器可能受潮,所以在離子電流中會有相當(dāng)一部分是因水被電解而產(chǎn)生的O2-離子和H-離子電流。O2-離子到達(dá)AL金屬化陽極以后,與AL結(jié)合形成AL2O3。隨著時間的增長,逐漸形成AL2O3絕緣層將疵點(diǎn)覆蓋和隔離,從而電容器絕緣電阻大為提高,達(dá)到自愈。
  金屬膜電容要完成自愈,需要一定的能量,這是顯而易見的。其能量有兩個來源,一個是來自電源,另一個是來自疵點(diǎn)部分金屬的氧化和氮化放熱反應(yīng),對自愈所需要的能量常稱為自愈能量。

3 自愈的利弊
  金屬膜電容的最大特點(diǎn)是具有自愈能力,因此自愈所帶來的好處是主要的,但是,它也有不利之處,其中最大的害處就是自愈時造成電流脈沖,給電路帶來信號干擾,降低電路的重要性能——信噪比。所以對于一些要求特別高的電路,如高保真音響電路、高精度通信電路等,不能讓有機(jī)薄膜電容器在工作時發(fā)生自愈。
  自愈的另一害處,是使用電容器的容量逐漸減少。若電容量在工作時,自愈次數(shù)很多,就會導(dǎo)致其容量和絕緣電阻顯著變小、損耗角大幅度上升,使電容器很快失效。

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